Полупроводники со стехиометрическими вакансиями

  1. Жузе В.П., Палатник Л.С., Кошкин В.М., Атрощенко Л.В., Овечкина Е.Е. и др. Свойство химической инертности примесей металлов в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями, № 245, Бюлл. изобр.и откр СССР, 1981, №41.
  2. Koshkin V., Dmitriev Yu. Chemistry and Physics of Compounds with Loose Crystal Structure, Harwood academic publishers, Switzerland, ser. «Chemistry Reviews», 1994, v.2, part.2, 138 pp.
  3. Кошкин В.М., Фрейман Ю.А., Атрощенко Л.B. Термодинамическая модель растворимости примесей и отклонений от стехиометрии в полупроводниках с большим содержанием стехиометрических вакансий, ФТТ, 1967, т.9, №11, с.3120-3125.
  4. Кошкин В.М., Атрощенко Л.В., Фрейман Ю.А. Примеси в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями, ДАН СССР, 1968, т.183, №1, с.83-86.
  5. Кошкин В.М., Манюкова Л.Г., Сысоев Л.А. О температурах плавления полупроводников со стехиометрическими вакансиями, Изв. АН СССР, сер. «Heоpг. мат.», 1968, т.4, №10, с.1633-1639.
  6. Гальчинецкий Л.П, Кошкин В.М.. Теплопроводность полупроводниковых сплавов со стехиометрическими вакансиями, УФЖ, 1969, т.14, №1, с.53-57.
  7. Кошкин В.М., Атрощенко Л.В. Локальные упругие напряжения и растворимость примесей в кристаллах со стехиометрическими вакансиями, ФТТ, 1969, т.11, №3, с.816-819.
  8. Кошкин В.М., Карась В.Р., Гальчинецкий Л.П. Об одном методе анализа края оптического поглощения в полупроводниках и поглощение в In2Te3, ФТП, 1969, т.3, №9, с.1417-1420.
  9. Кошкин В.М., Фрейман Ю.А., Гальчинецкий Л.П О релаксации кристаллической решетки вблизи вакансии, ФТТ, 1969, т.11, №1, с.212-214.
  10. Кошкин В.М., Атрощенко Л.В. Термодинамическое исследование растворимости примесей в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями, Изв. АН СССР, сер. «Heоpг. мат.», 1970, т.6, №4, c.714-719.
  11. Кошкин В.М., Атрощенко Л.В., Локальные упругие напряжения на нейтральных вакансиях и отклонения от стехиометрии в кристаллах типа In2Te3 , ФТТ, 1970, т.12, №5, с.1536-1538.
  12. Атрощенко Л.В., Кошкин В.М. Локальные упругие напряжения на примесях и микротвердость кристаллов со стехиометрическими вакансиями, Проблемы прочности, 1970, №6, с.95-97.
  13. Кошкин В.М., Гальчинецкий Л.П., Корин А.И. Электропроводность сильно легированных полупроводников типа B2IIIC3VI , Физика и техника полупроводников, 1971, №10, с.1983-1985.
  14. Кошкин В.М., Овечкина Е.Е., Романов В.П. Ядерный гамма-резонанс на нейтральных атомах олова в кристаллической матрице In2Te3 , ЖЭТФ, 1975, т.69, №12, с.2218-2221.
  15. Кошкин В.М., Усоскин А.И., Кулаков В.М. Время жизни носителей заряда в кристаллах типа Iп2Те3, Сб. «Физика и химия кристаллов», Харьков, изд. ВНИИМ, 1977, с.48-51.
  16. Забродcкий Ю.Р., Кошкин В.М., Овечкина Е.Е., Романов B. Н., «Сжатие» электронной оболочки нейтрального атома кристаллической матрицей, ЖЭТФ, 1977, т.72, №1, с.329-333
  17. Романов В.П., Овечкина Е.Е., Кошкин В.М. Построение шкалы изомерных сдвигов по данным ЯГР на нейтральных атомах железа, ФНТ, 1977, т.3, №11, с.1486-1493
  18. Кошкин В.М., Забродский Ю.Р., Герасименко В.С. Электронные состояния примесей в полупроводниковых стеклах, Физика и химия стекла, т.6, №1, 1980, с.40-45